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直面海量数据挑战国产十大存储芯片蓄势待发

来源:快三平台-快三平台注册 编辑:admin 时间:2020-09-05 19:29:33
导读:该芯片为搭载Xtacking架构,64层三维NAND闪存芯片,TLC(每个存储单元存3个bit),3D 闪存芯片,单die容量256Gb,已于2019年9月实现量产,采用自主研发Xtacking架构,通过在两片独立的晶圆分

  该芯片为搭载Xtacking架构,64层三维NAND闪存芯片,TLC(每个存储单元存3个bit),3D 闪存芯片,单die容量256Gb,已于2019年9月实现量产,采用自主研发Xtacking架构,通过在两片独立的晶圆分别加工存储单元和外围电路,通过垂直互联通道(VIA)进行两片晶圆键合,使存储器具有更快的IO读写速度,更高的存储密度,更灵活的产品上市周期等特点。

  采用3D TLC NAND,提供128GB、256GB、512GB容量选择,SATA 6Gbps接口,最大顺序读写达560MB/s和520MB/s,最大IOPS读写高达90K。

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  为迎接存储芯片发展大潮,更因为芯片“国产替代”已成趋势,2019 年中国本土存储企业也在积极布局存储芯片,在 3D NAND Flash、DRAM 等类别储存芯片也已经相继投产。

  这意味着随着5G时代的来临,在AI、物联网、智能驾驶等技术发展下,设备自动收集的数据量呈指数级别增长,承担这些数据存储与处理的存储器在这种快速增长的需求驱动下,未来几年会再度迎来强劲增长。

  根据调研数据显示,2018 年全球半导体市场规模为 4688 亿美元。其中,存储芯片销售达 1580 亿美元,占比达到 34%,比重最高。根据 IC insight 的预测,尽管2019 年 DRAM 和 NAND 出货量单年度有较大下滑,但2018~2023 年复合增速最快的细分领域仍然是存储芯片,增速达到 7.8%,比半导体整体市场高 1 个百分点。

  产品集数十项专利于一身,在美国、韩国、日本、加拿大、巴西、中国大陆及台湾都申请了专利并处于有效期间。

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  基于自主创新Xtacking架构的国内首款64层三维 NAND 闪存,实现业界同代产品存储密度最高

  本文中,芯师爷筛选了“2019硬核中国芯”评选活动中的十款参评存储芯片,以供存储芯片国产替代选型参考。

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